来場のご案内
併催イベント事前申込制 （定員になり次第締め切ります。）
SiC,GaNパネルディスカッション場所：国際会議場201号室無料
3月6日（木）
6-K110：30～12：00
パワー半導体用大口径SiCウエハの加工技術 – 8インチ量産プロセスのゆくえ –
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司 会
国立研究開発法人産業技術総合研究所 エネルギー・環境領域
先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム チーム長 加藤 智久 氏 -
パネラー
株式会社レゾナック デバイスソリューション事業部 SiC技術開発部
GIプロジェクト 加工テーマ サブリーダー 伊藤 正人 氏 -
パネラー
株式会社東京精密 半導体社技術部門 加工・バックエンド技術部
アプリケーションセンター HRGチームリーダ 兼 プロダクトセールスチーム 主査 五十嵐 健二 氏 -
パネラー
ノイエテクノラボ
代表 阿部 耕三 氏 -
パネラー
株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン開発部
半導体新規事業課 課長 高見 信一郎 氏
※参加には別途、事前来場者登録が必要です。
※展示会会場外のセミナーがございます。会場をご確認の上、お越しください。
※「入場受付証」を印刷し、必ずお持ちください。
公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第28回研究会場所：国際会議場201号室有料
3月7日（金）
12：30～16：00 ※適宜休憩が入ります。
「SiC, GaNパワーデバイスの現状ならびに新しい基板加工技術」
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12：30～12：35
開会挨拶
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12：35～13：05
SiCパワー半導体の現状と今後の展開
産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究センター長 田中 保宣 氏
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13：05～13：35
GaN縦型パワーデバイスの
現状と今後の展開名古屋大学 大学院工学研究科 教授 須田 淳 氏
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13：45～14：15
SiCウェハの高速研磨装置の開発
不二越機械工業株式会社 開発研究部 開発研究課 課長 宮下 忠一 氏
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14：15～14：45
SiCのワイヤーソー切断技術と
新しい平坦化技術株式会社安永 事業本部 CE部門 OP部
次長 乾 義孝 氏 -
14：55～15：25
触媒表面基準エッチング法によるSiCおよびGaN基板表面の原子レベル平坦化
大阪大学 大学院工学研究科 助教 藤 大雪 氏
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15：25～15：55
固体電解質を用いた環境調和型電解援用研磨による SiC の高効率平滑化
立命館大学 理工学部 教授 村田 順二 氏
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15：55～16：00
開閉会挨拶
なお、当日の資料はPDF版となります。
■参加費: （消費税込）
先進パワー半導体分科会会員* 4,000 円／分科会学生会員 無料／一般 6,000 円／一般学生 1,000 円
*先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は先進パワー半導体分科会会員扱いとします。
■現地開催におけるご協力のお願い: 発熱がある場合は当日のご参加はご遠慮下さい。会場でのマスクの着用は任意とします。
■参加には別途、事前来場者登録が必要です。
※上記の申し込みに関するお問い合わせは各団体の問い合わせ先へご連絡ください。SiC,GaN加工技術展2025事務局では恐れ入りますがお答えできかねます。
製品・技術発表会場所：展示会場内特設会場無料
3月5日（水）
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5-A515：30～16：15
株式会社岡本工作機械製作所SiC,GaN
～SiCインゴット研削からウェハ最終仕上げポリッシュまで～ 生産性向上の提案
3月7日（金）
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7-A211：30～12：15
株式会社岡本工作機械製作所SiC,GaN
～SiCインゴット研削からウェハ最終仕上げポリッシュまで～ 生産性向上の提案
※参加には別途、事前来場者登録が必要です。
※展示会会場外のセミナーがございます。会場をご確認の上、お越しください。
※「入場受付証」を印刷し、必ずお持ちください。